三星电子已产3纳米芯片领先台积电

文章时间：2022-07-05 14:30:30 来源：TechWeb

　　据国外媒体报道，6月30日三星电子表示，它已经开始量产3纳米芯片，这使它击败竞争对手台积电，成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。

据悉，这款芯片此前预计将于2021年上市，但一直推迟到今年。该公司没有公布新芯片的成品率和客户，但它表示，一旦成品率稳定，该芯片将用在智能手机上。

虽然三星没有公布新芯片的客户，但韩媒报道称，新芯片的第一个客户是中国矿机芯片厂商PanSemi。

周四，三星电子表示，与5纳米芯片相比，3纳米芯片的性能提高了23%，功耗降低了45%，芯片面积减少了16%。将于2023年推出的第二代3纳米芯片则可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

三星电子的3纳米制程工艺采用的是GAA技术，该技术旨在提高芯片的晶体管密度，从而提高能源效率。

与目前应用在5纳米、7纳米上最先进成熟的FinFET晶体管相比，GAA更先进，它可以更精确地控制电流，栅极宽度也更窄。

三星是世界上最大的存储芯片制造商，也是第二大代工芯片制造商，该公司正与全球最大的代工企业台积电展开竞争。

2021年10月份，三星电子曾宣布，它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片，这一时间表将在台积电之前。据悉，台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片

编辑:三人水

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